MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISC750P10LMATMA1, VDSS 100 V, ID -32 A, Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-054
- Referência do fabricante:
- ISC750P10LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 285-054
- Referência do fabricante:
- ISC750P10LMATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia avanzado diseñado para una eficiencia y versatilidad óptimas en aplicaciones industriales. Con una configuración de canal P robusta, proporciona una resistencia de encendido excepcionalmente baja y puede manejar alta corriente de drenaje, lo que lo convierte en adecuado para una gama de circuitos electrónicos exigentes. La incorporación de accionamiento de puerta de nivel lógico significa que funciona perfectamente en sistemas de baja tensión. Con su excelente rendimiento térmico y valores nominales de avalancha fiables, este transistor de potencia es ideal para aplicaciones que requieren durabilidad y fiabilidad bajo tensión continua. Su conformidad con RoHS y su chapado de plomo sin halógenos mejoran aún más su idoneidad para diseños respetuosos con el medio ambiente, lo que proporciona a los fabricantes tranquilidad en un mercado competitivo.
Rendimiento de conmutación excepcional para la gestión de potencia
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
Baja resistencia térmica para una disipación de calor eficaz
Unidad de nivel lógico para facilitar la interfaz de microcontrolador
Chapado de plomo sin plomo para cumplir con el medio ambiente
Rendimiento constante en una amplia gama de temperaturas
Optimizado para aplicaciones de alta velocidad
Admite corrientes nominales de impulso altas
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