MOSFET, Tipo N-Canal Microchip PD70224ILQ-TR, VDSS 74 V, ID 2 A, QFN de 40 pines
- Código RS:
- 333-012
- Referência do fabricante:
- PD70224ILQ-TR
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 4,835 € | 9 670,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 333-012
- Referência do fabricante:
- PD70224ILQ-TR
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 74V | |
| Encapsulado | QFN | |
| Serie | PD70224 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 40 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.26Ω | |
| Tensión directa Vf | 192mV | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 74V | ||
Encapsulado QFN | ||
Serie PD70224 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 40 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.26Ω | ||
Tensión directa Vf 192mV | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares IEEE 802.3af and IEEE 802.3at, IEEE 802.3bt and PoH, RoHS | ||
Longitud 6mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El pack Microchip Dual de rectificadores de puente completo basados en MOSFET. Contiene MOSFET de canal N de baja Rds 0,16Ω para una eficiencia global mucho mayor y una potencia de salida más elevada, especialmente cuando se utiliza en dispositivos alimentados (PD) para aplicaciones PoE. Todo el circuito de accionamiento de los MOSFET está en el chip, incluida una bomba de carga para accionar los MOSFET de canal N del lado alto.
Circuito activo con baja caída hacia delante para sustituir los puentes de diodos pasivos disipadores
Circuito de accionamiento autónomo para MOSFETs
Diseñado para soportar IEEE-802.3af / at / bt y PoH
MOSFET de canal N de 0,16 ohmios integrados para una resistencia total de 0,3 ohmios
Señales indicadoras de potencia presente para identificar la potencia del puente de 4 pares
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