MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 5 A, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 330-451
- Referência do fabricante:
- STF80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
1,28 €
Adicione 63 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 997 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 1,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 330-451
- Referência do fabricante:
- STF80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | STF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 21W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.3mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie STF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 21W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.3mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Carga de puerta ultrabaja
Protección Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 16 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 12 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N240K6, VDSS 800 V, ID 16 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N340K6, VDSS 800 V, ID 12 A, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N450K6, VDSS 800 V, ID 10 A, TO-220FP de 3 pines
