MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, TO-220FP de 3 pines

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Código RS:
330-450
Referência do fabricante:
STF80N1K1K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

STF

Encapsulado

TO-220FP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

21W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Altura

9.3mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Carga de puerta ultrabaja

Protección Zener

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