MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R012M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 60 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 284-859
- Referência do fabricante:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 284-859
- Referência do fabricante:
- IMYH200R012M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de tren de SiC CoolSiC de 2.000 V de Infineon destaca como un componente de alto rendimiento diseñado para aplicaciones exigentes. Basándose en la tecnología avanzada de carburo de silicio, proporciona una eficiencia y un rendimiento térmico excepcionales, lo que lo convierte en ideal para usar en sistemas de alimentación modernos. Con una estructura robusta y características innovadoras, este dispositivo garantiza la fiabilidad en diversas aplicaciones, incluidos inversores de cadena, optimización de potencia solar y carga de vehículos eléctricos. El MOSFET cuidadosamente diseñado es óptimamente adecuado para entornos de alta tensión, lo que proporciona ventajas operacionales superiores para uso industrial y comercial. Su tecnología de interconexión avanzada contribuye aún más a su prestigiosa reputación en el mercado, lo que permite una vida útil prolongada del dispositivo y capacidades de gestión de potencia mejoradas.
Proporciona bajas pérdidas de conmutación para mayor eficiencia
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tensión de umbral de puerta de referencia para control
Resistencia de estado encendido muy baja para conductividad
La alta resistencia térmica minimiza el sobrecalentamiento
Adecuado para alta tensión de hasta 2.000 V
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R012M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 60 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R024M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 89 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R100M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 26 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R075M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 34 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R050M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R012M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZC120R026M2HXKSA1, VDSS 1200 V, ID 49 A, Mejora, PG-TO-247-4-U07 de 4 pines