MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC033N08NS5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 144 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-641
- Referência do fabricante:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 284-641
- Referência do fabricante:
- BSC033N08NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 144A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 144A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon está diseñado con precisión para la excelencia en el diseño electrónico eficiente. Este MOSFET de potencia avanzada proporciona un rendimiento excepcional a 80 V, ideal para rectificación síncrona en aplicaciones exigentes como servidores y fuentes de alimentación de sobremesa. Con un encapsulado refrigerado de doble lado, reduce significativamente la resistencia térmica, lo que mejora la fiabilidad y la gestión térmica. Este producto destaca por su diseño robusto probado contra avalanchas, lo que garantiza la durabilidad en condiciones de tensión transitoria. Se beneficia de una conductividad térmica superior y una construcción sin plomo que cumple los estrictos estándares de conformidad RoHS, lo que lo convierte en no solo potente, sino también respetuoso con el medio ambiente.
Encapsulado refrigerado de doble lado para gestión térmica
Diseñado para una alta eficiencia en rectificación síncrona
Validación de avalancha al 100% para mayor fiabilidad
La resistencia térmica superior mejora la durabilidad
Rendimiento nominal de hasta 175 °C
Chapado sin plomo para cumplir con el medio ambiente
Estándares sin halógenos conforme a IEC61249 2 21
Calificación conforme a los estándares JEDEC para la industria
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC033N08NS5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 144 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC160N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 56 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC110N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 77 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC093N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 89 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC023N08NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC007N04LS6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC030N10NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC009N04LSSCATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines