MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC023N08NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-638
- Referência do fabricante:
- BSC023N08NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 284-638
- Referência do fabricante:
- BSC023N08NS5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 171A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 188W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 171A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 188W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon está diseñado para sobresalir en aplicaciones exigentes que requieren alta eficiencia y rendimiento robusto. Diseñado con un innovador encapsulado PG WSON 8, este transistor proporciona una excelente gestión térmica, lo que garantiza una disipación de calor óptima durante el funcionamiento. Además, su capacidad de refrigeración de doble lado mejora significativamente el rendimiento térmico, y el rango de temperatura de funcionamiento ampliado permite una mayor versatilidad en diversos entornos. Con un enfoque en la fiabilidad, este dispositivo se ha sometido a pruebas rigurosas para garantizar que cumple los estrictos estándares de calidad esperados en aplicaciones industriales, lo que lo convierte en una elección fiable para los ingenieros que buscan mejorar el rendimiento del sistema al tiempo que gestionan las restricciones térmicas.
La alta eficiencia minimiza la pérdida de energía
La refrigeración de doble lado mejora la gestión térmica
Diseño compacto para la integración de ahorro de espacio
Cumple los estándares de alta fiabilidad
Apto para diversas aplicaciones industriales
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC023N08NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC030N10NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 171 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC160N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 56 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC110N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 77 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC093N15NS5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 89 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC007N04LS6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC033N08NS5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 144 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC009N04LSSCATMA1, VDSS 40 V, ID 381 A, Mejora, PG-WSON-8 de 8 pines
