MOSFET onsemi, N-Canal, VDSS 40 V, ID 145 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 172-3301
- Referência do fabricante:
- NVMFD5C446NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 172-3301
- Referência do fabricante:
- NVMFD5C446NLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.05mm | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.05mm | ||
Anchura 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Baja resistencia
Mínimas pérdidas de conducción
Capacidad de corriente alta
Rendimiento de carga resistente
Protección de sobrecarga de tensión
Aplicaciones
Driver de lado bajo
Driver de lado alto
Accionador de motor
Tren de potencia de automoción
Motores de aire acondicionado y calefacción de automoción
Bombas de presión de ABS
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