MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS4D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 119 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-569
- Referência do fabricante:
- NTMFS4D0N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-569
- Referência do fabricante:
- NTMFS4D0N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor es el mejor producto de su clase en el mercado de 80 V. Este producto será la mejor solución en Cloud Power, 5G Telecom, otras aplicaciones PSU, DC/DC y aplicaciones industriales. Y esto proporciona un mejor rendimiento con una mayor eficiencia del sistema y una alta densidad de potencia con características de rendimiento por debajo.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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