MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS1D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 195 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-599
- Referência do fabricante:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 10 unidades)*
5,91 €
Adicione 150 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,591 € | 5,91 € |
| 100 - 240 | 0,562 € | 5,62 € |
| 250 - 490 | 0,521 € | 5,21 € |
| 500 - 990 | 0,479 € | 4,79 € |
| 1000 + | 0,461 € | 4,61 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-599
- Referência do fabricante:
- NTMFS1D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
La tecnología MOSFET de potencia de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controladores de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 195 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS4D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 119 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D5N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 414 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 154 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D6N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 380 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS0D7N04XLT1G, VDSS 40 V, ID 349 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 111 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines