MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-30BLEJ, VDSS 30 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 5 pines
- Código RS:
- 219-444
- Referência do fabricante:
- PSMN1R5-30BLEJ
- Fabricante:
- Nexperia
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- 219-444
- Referência do fabricante:
- PSMN1R5-30BLEJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | PSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 401W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 228nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie PSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 401W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 228nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de canal N de nivel lógico de Nexperia está alojado en un encapsulado D2PAK y está calificado para funcionar hasta 175 °C. Está diseñado para su uso en una amplia gama de aplicaciones industriales, de comunicaciones y domésticas, ofreciendo un rendimiento fiable en entornos exigentes.
Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal
Rdson muy bajo para pérdidas de conducción reducidas
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