MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTP75N10P, VDSS 100 V, ID 75 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 unidade)*

8,52 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 50 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 +8,52 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
193-486
Referência do fabricante:
IXTP75N10P
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

360W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.9 mm

Longitud

15.8mm

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados