MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

157,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 20 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 +3,153 €157,65 €

*preço indicativo

Código RS:
920-0717
Referência do fabricante:
IXTP50N20P
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

360W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.66mm

Anchura

4.83 mm

Altura

9.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados