MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NM50FP, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 151-409
- Referência do fabricante:
- STP12NM50FP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
92,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 900 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,853 € | 92,65 € |
| 500 + | 1,76 € | 88,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-409
- Referência do fabricante:
- STP12NM50FP
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 15.85mm | |
| Altura | 30.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 15.85mm | ||
Altura 30.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics, Este dispositivo desarrollado utilizando la tecnología MDmesh, que asocia el proceso de drenaje múltiple con la disposición horizontal PowerMESH de la compañía. Estos dispositivos ofrecen una resistencia a la conexión extremadamente baja, una dv/dt elevada y excelentes características de avalancha. Utilizando la técnica de banda patentada de ST, estos MOSFET de potencia presentan un rendimiento dinámico global superior al de productos similares del mercado.
100% avalancha probada
Baja capacitancia de entrada y carga de puerta
Baja resistencia de entrada de puerta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF28NM50N, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW28NM50N, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP28NM50N, VDSS 500 V, ID 21 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines