Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI 64 MB, DFN, 8 pines
- Código RS:
- 273-5368
- Referência do fabricante:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
3,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 4 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 1,51 € | 3,02 € |
| 50 - 498 | 1,34 € | 2,68 € |
| 500 - 998 | 1,16 € | 2,32 € |
| 1000 - 2498 | 1,11 € | 2,22 € |
| 2500 + | 1,08 € | 2,16 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-5368
- Referência do fabricante:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 108MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tipo de temporización | DDR | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +85°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Corriente de suministro | 20mA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | |
| Serie | S25FL064L | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 108MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tipo de temporización DDR | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +85°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Corriente de suministro 20mA | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | ||
Serie S25FL064L | ||
Memoria Flash de la serie S25FL064L de Infineon, tamaño de memoria de 64 MB, tensión de alimentación de 2,7 V a 3,6 V - S25FL064LABNFI043
Esta memoria flash es un dispositivo NOR serie diseñado para almacenamiento no volátil de alta velocidad en entornos electrónicos exigentes. Funciona en un rango de temperatura ampliado para su uso en condiciones hostiles y admite comunicación de interfaz SPI con temporización DDR para un rendimiento de datos más rápido. El dispositivo se suministra en un encapsulado DFN compacto y cumple los estándares de restricción ambiental para el contenido de material.
Características y ventajas:
• La frecuencia de reloj de 108 MHz proporciona transferencias de datos más rápidas
• El rango de alimentación de 2,7 V a 3,6 V permite diseños de alimentación de sistema flexibles
• La clasificación de –40 a +85 °C admite un uso ambiental prolongado
• La corriente de alimentación de 20 mA ayuda a un presupuesto de potencia predecible
• La organización de 8 MB proporciona patrones de acceso paralelo para las necesidades del sistema
• El rango de alimentación de 2,7 V a 3,6 V permite diseños de alimentación de sistema flexibles
• La clasificación de –40 a +85 °C admite un uso ambiental prolongado
• La corriente de alimentación de 20 mA ayuda a un presupuesto de potencia predecible
• La organización de 8 MB proporciona patrones de acceso paralelo para las necesidades del sistema
Aplicaciones
• Apto para unidades de control de automoción que requieren una amplia tolerancia a la temperatura
• Ideal para instrumentación industrial que necesita almacenamiento SPI rápido
• Se utiliza con sistemas integrados que requieren compatibilidad con temporización DDR
• Puede utilizarse para el almacenamiento de firmware en encapsulados DFN compactos
• Ideal para instrumentación industrial que necesita almacenamiento SPI rápido
• Se utiliza con sistemas integrados que requieren compatibilidad con temporización DDR
• Puede utilizarse para el almacenamiento de firmware en encapsulados DFN compactos
¿Qué interfaz utiliza para la comunicación del sistema?
Se comunica a través de una interfaz SPI compatible con temporización DDR para mejorar el rendimiento.
¿Cómo se especifica el rendimiento térmico para entornos hostiles?
Está clasificado para funcionar de -40 °C a +85 °C para contextos industriales y de automoción.
¿Qué tipo de encapsulado debe planificarse para la disposición de la placa?
El dispositivo se suministra en un encapsulado DFN que requiere consideraciones de diseño de montaje en superficie.
¿Hay designaciones de calidad para automoción disponibles?
Cumple los estándares de automoción AEC-Q100 Grado 1, Grado 2 y Grado 3.
¿Cuál es la capacidad no volátil y la organización ofrecidas?
La memoria proporciona una capacidad total de 64 MB con una organización de 8 MB.
Links relacionados
- Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL064LABNFI043 64 MB, DFN, 8
- Infineon AEC-Q100 Grado 3, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 1 Memoria flash NI, SPI S25FL128SAGNFI003 128 MB, 16MB,
- Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL128LAGNFV010 128 MB, WSON, 8
- Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI 128 MB, WSON, 8 pines
- Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI 8 MB, TSOP, 48 pines
- Infineon AEC-Q100 Grado 3, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 1 Memoria flash NI, SPI 128 MB, 16MB, WSON, 8 pines
- Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S29AL008J70TFI020 8 MB, TSOP, 48 pines
- Infineon AEC-Q100 Grado 1 Memoria flash NI, SPI 128 MB, SOIC, 16 pines