Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL064LABNFI043 64 MB, DFN, 8

Código RS:: 273-5367
Referência do fabricante:: S25FL064LABNFI043
Fabricante:: Infineon

Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL064LABNFI043 64 MB, DFN, 8

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Código RS:: 273-5367
Referência do fabricante:: S25FL064LABNFI043
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Memoria flash
	Tamaño de la memoria	64MB
	Tipo de interfaz	SPI
	Encapsulado	DFN
	Número de pines	8
	Frecuencia del reloj máxima	108MHZ
	Tipo de célula	NI
	Tensión de alimentación mínima	2.7V
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Tipo de temporización	DDR
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	+85°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Corriente de suministro	20mA
	Serie	S25FL064L
	Estándar de automoción	AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3

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	Marca Infineon
	Tipo de producto Memoria flash
	Tamaño de la memoria 64MB
	Tipo de interfaz SPI
	Encapsulado DFN
	Número de pines 8
	Frecuencia del reloj máxima 108MHZ
	Tipo de célula NI
	Tensión de alimentación mínima 2.7V
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Tipo de temporización DDR
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima +85°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Corriente de suministro 20mA
	Serie S25FL064L
	Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3

Datasheet - S25FL064LABNFI043

Memoria Flash de la serie S25FL064L de Infineon, tamaño de memoria de 64 MB, tensión de alimentación de 2,7 V a 3,6 V - S25FL064LABNFI043

Esta memoria flash es un dispositivo NOR serie diseñado para almacenamiento no volátil de alta velocidad en entornos electrónicos exigentes. Funciona en un rango de temperatura ampliado para su uso en condiciones hostiles y admite comunicación de interfaz SPI con temporización DDR para un rendimiento de datos más rápido. El dispositivo se suministra en un encapsulado DFN compacto y cumple los estándares de restricción ambiental para el contenido de material.

Características y ventajas:

• La frecuencia de reloj de 108 MHz proporciona transferencias de datos más rápidas
• El rango de alimentación de 2,7 V a 3,6 V permite diseños de alimentación de sistema flexibles
• La clasificación de –40 a +85 °C admite un uso ambiental prolongado
• La corriente de alimentación de 20 mA ayuda a un presupuesto de potencia predecible
• La organización de 8 MB proporciona patrones de acceso paralelo para las necesidades del sistema

Aplicaciones

• Apto para unidades de control de automoción que requieren una amplia tolerancia a la temperatura
• Ideal para instrumentación industrial que necesita almacenamiento SPI rápido
• Se utiliza con sistemas integrados que requieren compatibilidad con temporización DDR
• Puede utilizarse para el almacenamiento de firmware en encapsulados DFN compactos

¿Qué interfaz utiliza para la comunicación del sistema?

Se comunica a través de una interfaz SPI compatible con temporización DDR para mejorar el rendimiento.

¿Cómo se especifica el rendimiento térmico para entornos hostiles?

Está clasificado para funcionar de -40 °C a +85 °C para contextos industriales y de automoción.

¿Qué tipo de encapsulado debe planificarse para la disposición de la placa?

El dispositivo se suministra en un encapsulado DFN que requiere consideraciones de diseño de montaje en superficie.

¿Hay designaciones de calidad para automoción disponibles?

Cumple los estándares de automoción AEC-Q100 Grado 1, Grado 2 y Grado 3.

¿Cuál es la capacidad no volátil y la organización ofrecidas?

La memoria proporciona una capacidad total de 64 MB con una organización de 8 MB.