Infineon AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 Memoria flash NI, SPI S25FL064LABNFI043 64 MB, DFN, 8
- Código RS:
- 273-5367
- Referência do fabricante:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5367
- Referência do fabricante:
- S25FL064LABNFI043
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Memoria flash | |
| Tamaño de la memoria | 64MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Encapsulado | DFN | |
| Número de pines | 8 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 108MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tipo de temporización | DDR | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | S25FL064L | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | |
| Corriente de suministro | 20mA | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Memoria flash | ||
Tamaño de la memoria 64MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Encapsulado DFN | ||
Número de pines 8 | ||
Frecuencia del reloj máxima 108MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tipo de temporización DDR | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie S25FL064L | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grado 1, AEC-Q100 Grado 2, AEC-Q100 Grado 3 | ||
Corriente de suministro 20mA | ||
La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones móviles o integradas. Proporciona una solución de almacenamiento ideal para sistemas con espacio limitado, conexiones de señal y alimentación. Estas memorias ofrecen flexibilidad y rendimiento mucho más allá de los dispositivos flash serie ordinarios. Son ideales para sombrear código a RAM, ejecutar código directamente y almacenar datos reprogramables.
Encapsulado sin plomo
Protección de bloque de legado
Tecnología de puerta flotante de 65 nm
Protección individual y regional
Mínimo de 20 años de retención de datos
Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas
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