FRAM Infineon FM25L04B-G, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 4 kB, 512 x 8 bits, 3.6V, 2.7 V

La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 4 Kbit que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia del flash serie y la EEPROM, realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos de escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera con éxito al dispositivo. El siguiente ciclo de autobuses puede comenzar sin la necesidad de encuestas de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles.

Conforme a RoHS