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    AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM25V05-G, 8 pines, SOIC, SPI, 512kbit, 64K x 8 bits, 18ns, 2 V a 3,6 V

    Código RS:
    188-5420
    Referência do fabricante:
    FM25V05-G
    Fabricante:
    Infineon
    Infineon
    Ver tudo Memoria FRAM
    97 Disponível para entrega em 24/48 horas
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    Adicionado

    Preço unitário (Em Tubo de 97)

    12,892 €

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    194 - 19411,487 €1.114,239 €
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    *preço indicativo
    Código RS:
    188-5420
    Referência do fabricante:
    FM25V05-G
    Fabricante:
    Infineon
    COO (País de Origem):
    US

    Legislação e Conformidade

    COO (País de Origem):
    US

    Detalhes do produto

    F-RAM de Cypress Semiconductor


    La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

    Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
    Rápida velocidad de escritura
    Alta resistencia
    Bajo consumo

    Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 512 Kbit organizada lógicamente como 64K ´ 8
    Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
    retención de datos de 151 años
    NODELAY™ escribe
    proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
    Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
    Frecuencia de hasta 40 MHz
    Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
    Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
    Sofisticado esquema de protección contra escritura
    Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
    Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
    Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
    ID de dispositivo
    ID de fabricante e ID de producto
    Bajo consumo
    300 μA de corriente activa a 1 MHz
    Corriente en espera de 90 μA (típ)
    5 μA corriente del modo de reposo
    Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
    Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
    Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines


    FRAM (RAM ferroeléctrica)


    FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

    Especificações

    AtributoValor
    Tamaño de la Memoria512kbit
    Organización64K x 8 bits
    Tipo de InterfazSPI
    Ancho del Bus de Datos8bit
    Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo18ns
    Tipo de MontajeMontaje superficial
    Tipo de EncapsuladoSOIC
    Conteo de Pines8
    Dimensiones4.97 x 3.98 x 1.48mm
    Longitud4.97mm
    Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,6 V
    Ancho3.98mm
    Altura1.48mm
    Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
    Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
    Número de Bits de Palabra8bit
    Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2 V
    Estándar de automociónAEC-Q100
    Número de Palabras64k
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