FRAM Infineon FM18W08-SGTR, 28 pines, SOIC-28, Paralelo, 256 kB, 32K x 8 bits, 70 ns, 5.5V, 2.7 V
- Código RS:
- 273-5303
- Referência do fabricante:
- FM18W08-SGTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5303
- Referência do fabricante:
- FM18W08-SGTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC-28 | |
| Número de pines | 28 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Número de palabras | 32k | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC-28 | ||
Número de pines 28 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Número de palabras 32k | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 32 K x 8 que lee y escribe similar a una SRAM estándar. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil, lo que significa que los detalles se conservan después de retirar la alimentación. Proporciona retención de datos durante más de 151 años al tiempo que elimina las preocupaciones de fiabilidad, las desventajas funcionales y las complejidades de diseño del sistema de la SRAM respaldada por batería. El tiempo de escritura rápido y la alta resistencia a la escritura hacen que la FRAM sea superior a otros tipos de memoria.
Conformidad con RoHS
Bajo consumo de potencia
Compatible con SRAM y EEPROM
Superior a los módulos SRAM con soporte de batería
Resistente a descargas de tensión negativas
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