AEC-Q100 FRAM Infineon FM28V020-SG, 28 pines, SOIC, Paralelo, 256 kB, 32K x 8 bits, 70 ns, 3.6V, 2 V
- Código RS:
- 125-4229
- Referência do fabricante:
- FM28V020-SG
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 125-4229
- Referência do fabricante:
- FM28V020-SG
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Organización | 32K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 70ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 28 | |
| Altura | 2.37mm | |
| Longitud | 18.11mm | |
| Anchura | 7.62mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 32k | |
| Tensión de alimentación mínima | 2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Organización 32K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 70ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 28 | ||
Altura 2.37mm | ||
Longitud 18.11mm | ||
Anchura 7.62mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Número de palabras 32k | ||
Tensión de alimentación mínima 2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
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