FRAM Infineon CY15B108QN-40SXI, 8 pines, SOIC, SPI, 8 MB, 0 ns, 3.6V, 1.80 V
- Código RS:
- 273-5268
- Referência do fabricante:
- CY15B108QN-40SXI
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5268
- Referência do fabricante:
- CY15B108QN-40SXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 8MB | |
| Tipo de interfaz | SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 0ns | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Frecuencia del reloj máxima | 40MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.33mm | |
| Longitud | 8.26mm | |
| Altura | 2.03mm | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +85°C | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.80V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Número de palabras | 1048576 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 8MB | ||
Tipo de interfaz SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 0ns | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Frecuencia del reloj máxima 40MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.33mm | ||
Longitud 8.26mm | ||
Altura 2.03mm | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +85°C | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de alimentación mínima 1.80V | ||
Estándar de automoción No | ||
Número de palabras 1048576 | ||
La memoria FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 8 Mb de baja potencia que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles.
Conformidad con RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de potencia
Interfaz periférica serie rápida
FRAM de sector especial de 256 bytes dedicado
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