FRAM Infineon CY15B102QN-50SXI, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 2 MB, 256K x 8 bits, 3.6V, 3 V
- Código RS:
- 273-7318
- Referência do fabricante:
- CY15B102QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7318
- Referência do fabricante:
- CY15B102QN-50SXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | FRAM | |
| Tamaño de la memoria | 2MB | |
| Organización | 256K x 8 bits | |
| Tipo de interfaz | Serie SPI | |
| Ancho del bus de datos | 8bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 50MHZ | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Certificaciones y estándares | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Tensión de alimentación mínima | 3V | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Número de palabras | 256K | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto FRAM | ||
Tamaño de la memoria 2MB | ||
Organización 256K x 8 bits | ||
Tipo de interfaz Serie SPI | ||
Ancho del bus de datos 8bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 50MHZ | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Certificaciones y estándares Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Tensión de alimentación mínima 3V | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Estándar de automoción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Número de palabras 256K | ||
La FRAM de Infineon es una memoria no volátil de 2 Mb de baja potencia que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o FRAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una memoria RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, los gastos generales y los problemas de fiabilidad a nivel del sistema causados por el flash en serie, la EEPROM y otras memorias no volátiles. Este FRAM tiene SPI rápido y es compatible con modo SPI 0 y modo 3.
Conforme a RoHS
Funcionamiento de baja tensión
Bajo consumo de energía
Esquema de protección de escritura sofisticado
FRAM de sector especial de 256 bytes dedicada
Protección de software mediante instrucciones de desactivación de escritura
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