Referência do fabricante

AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, 512 kB, 64K x 8 bits, 450 ns, 3.6V, 2 V

Código RS:: 188-5404
Referência do fabricante:: FM24V05-G
Fabricante:: Infineon

AEC-Q100 FRAM Infineon, 8 pines, SOIC, 512 kB, 64K x 8 bits, 450 ns, 3.6V, 2 V

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Código RS:: 188-5404
Referência do fabricante:: FM24V05-G
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	FRAM
	Tamaño de la memoria	512kB
	Organización	64K x 8 bits
	Ancho del bus de datos	8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo	450ns
	Tipo de montaje	Superficie
	Frecuencia del reloj máxima	3.4MHZ
	Encapsulado	SOIC
	Número de pines	8
	Altura	1.38mm
	Longitud	4.97mm
	Anchura	3.98mm
	Certificaciones y estándares	No
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Número de bits por palabra	8
	Número de palabras	64K
	Estándar de automoción	AEC-Q100
	Tensión de alimentación máxima	3.6V
	Tensión de alimentación mínima	2V

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	Marca Infineon
	Tipo de producto FRAM
	Tamaño de la memoria 512kB
	Organización 64K x 8 bits
	Ancho del bus de datos 8bit
	Tiempo de acceso aleatorio máximo 450ns
	Tipo de montaje Superficie
	Frecuencia del reloj máxima 3.4MHZ
	Encapsulado SOIC
	Número de pines 8
	Altura 1.38mm
	Longitud 4.97mm
	Anchura 3.98mm
	Certificaciones y estándares No
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Número de bits por palabra 8
	Número de palabras 64K
	Estándar de automoción AEC-Q100
	Tensión de alimentación máxima 3.6V
	Tensión de alimentación mínima 2V

Datasheet FM24V05-G

COO (País de Origem):: US

FRAM, Cypress Semiconductor

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil

Rápida velocidad de escritura

Alta resistencia

Bajo consumo

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

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