JFET, MMBFJ111, N-Canal, 15 V, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 806-4311
- Referência do fabricante:
- MMBFJ111
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,302 € | 15,10 € |
| 500 - 950 | 0,26 € | 13,00 € |
| 1000 + | 0,225 € | 11,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 806-4311
- Referência do fabricante:
- MMBFJ111
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss | 20mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 15 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -35 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Drenador | 35V | |
| Configuración | Único | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 30 Ω | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Capacidad Drenador-Fuente | 28pF | |
| Capacidad Fuente-Puerta | 28pF | |
| Dimensiones | 2.9 x 1.3 x 1.04mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Ancho | 1.3mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss 20mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 15 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -35 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Drenador 35V | ||
Configuración Único | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 30 Ω | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOT-23 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Capacidad Drenador-Fuente 28pF | ||
Capacidad Fuente-Puerta 28pF | ||
Dimensiones 2.9 x 1.3 x 1.04mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Ancho 1.3mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 2.9mm | ||
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
Transistores JFET
Una gama de dispositivos semiconductores discretos JFET (transistor de efecto campo de empalme) y HEMT/HFET (transistor de alta movilidad de electrones/FET de heterounión)
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