STMicroelectronics IGBT, STGP10M65DF2, Tipo N-Canal, 20 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
906-2795
Referência do fabricante:
STGP10M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

20A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

COO (País de Origem):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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