STMicroelectronics IGBT, STGP10M65DF2, N-Canal, 20 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 906-2795
- Referência do fabricante:
- STGP10M65DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 906-2795
- Referência do fabricante:
- STGP10M65DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de colector (Ic) | 20 A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) | 650 V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Número de pines | 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de colector (Ic) 20 A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) 650 V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Número de pines 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origem):
- CN
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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