STMicroelectronics IGBT, STGP10M65DF2, N-Canal, 20 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
168-8939
Referência do fabricante:
STGP10M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de colector (Ic)

20 A

Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO)

650 V

Encapsulado

TO-220

Número de pines

3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO)

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origem):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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