IGBT, IKW20N60H3FKSA1, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 100kHz 1 Simple
- Código RS:
- 892-2197
- Referência do fabricante:
- IKW20N60H3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 2,653 € | 10,61 € |
| 40 - 76 | 2,148 € | 8,59 € |
| 80 - 196 | 2,048 € | 8,19 € |
| 200 - 596 | 1,865 € | 7,46 € |
| 600 + | 1,628 € | 6,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 892-2197
- Referência do fabricante:
- IKW20N60H3FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 40 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 170 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Velocidad de Conmutación | 100kHz | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Capacitancia de puerta | 1100pF | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Energía nominal | 1.07mJ | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 40 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 170 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-247 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Velocidad de Conmutación 100kHz | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Capacitancia de puerta 1100pF | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Energía nominal 1.07mJ | ||
IGBT Infineon, corriente de colector continua máxima de 40 A, tensión de emisor de colector máxima de 600 V - IKW20N60H3FKSA1
Este módulo IGBT está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en el sector de la electrónica de potencia. El dispositivo se ajusta a las especificaciones del encapsulado TO-247 IGBT y mide 16,13 x 5,21 x 21,1 mm. Con una tensión máxima de colector-emisor de 600 V y una corriente continua de colector de 40 A, resulta eficaz para diversas aplicaciones exigentes en los sectores eléctrico y mecánico.
Características y ventajas
• Utiliza la tecnología TRENCHSTOP, que ofrece un bajo VCEsat
• Alcanza una temperatura de unión máxima de 175°C para un rendimiento robusto
• Incorpora un diodo antiparalelo suave y de rápida recuperación que mejora la fiabilidad
• Garantiza una velocidad de conmutación de 100 kHz para un funcionamiento eficaz
• Alcanza una temperatura de unión máxima de 175°C para un rendimiento robusto
• Incorpora un diodo antiparalelo suave y de rápida recuperación que mejora la fiabilidad
• Garantiza una velocidad de conmutación de 100 kHz para un funcionamiento eficaz
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida para un funcionamiento fiable
• Eficaz en convertidores de soldadura para soldaduras de alto rendimiento
• Adecuado para convertidores con elevados requisitos de frecuencia de conmutación
• Eficaz en convertidores de soldadura para soldaduras de alto rendimiento
• Adecuado para convertidores con elevados requisitos de frecuencia de conmutación
¿Cuáles son las características de resistencia térmica de este módulo?
La resistencia térmica de la unión a la carcasa es de 0,88 K/W, mientras que la resistencia térmica del diodo de la unión a la carcasa es de 1,89 K/W, lo que garantiza una disipación eficaz del calor en entornos exigentes.
¿Cómo gestiona el IGBT los cortocircuitos y la disipación de potencia?
Admite una corriente de colector pulsada de hasta 80 A y una capacidad de disipación de potencia de 170 W, lo que permite un rendimiento sólido en condiciones de cortocircuito. El dispositivo puede soportar hasta 1000 cortocircuitos con un tiempo de funcionamiento seguro de 5μs.
¿Qué importancia tiene la capacitancia de puerta en este IGBT?
La capacitancia de puerta de 1100pF contribuye al control eficaz de la tensión puerta-emisor, lo que permite optimizar las características de conmutación y reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.
IGBT discretos y módulos, Infineon
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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