IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple

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Código RS:
862-9359P
Referência do fabricante:
ISL9V3040P3
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Corriente Máxima Continua del Colector

21 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

450 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±14V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10.67 x 4.7 x 16.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

IGBT discretos, Fairchild Semiconductor



IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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