IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 166-2175
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040P3
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
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|---|---|---|
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| 100 - 450 | 1,945 € | 97,25 € |
| 500 - 950 | 1,639 € | 81,95 € |
| 1000 - 2450 | 1,491 € | 74,55 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 166-2175
- Referência do fabricante:
- ISL9V3040P3
- Fabricante:
- Fairchild Semiconductor
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Fairchild Semiconductor | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 21 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 450 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±14V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Dimensiones | 10.67 x 4.7 x 16.3mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Fairchild Semiconductor | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 21 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 450 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±14V | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Tipo de Encapsulado TO-220AB | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Dimensiones 10.67 x 4.7 x 16.3mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
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