MOSFET Fairchild Semiconductor FDP18N50, VDSS 500 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
671-4806
Referência do fabricante:
FDP18N50
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
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Marca

Fairchild Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

18 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Serie

UniFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

265 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

38,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.1mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

9.4mm

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