Toshiba IGBT discreto, GT50JR22, Tipo N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 796-5064
- Referência do fabricante:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
6,38 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2 unidade(s) pronta(s) para enviar
- Mais 241 unidade(s) preparada(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Mais 96 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,38 € |
| 10 - 49 | 4,04 € |
| 50 - 124 | 3,95 € |
| 125 - 249 | 3,90 € |
| 250 + | 3,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 796-5064
- Referência do fabricante:
- GT50JR22
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | IGBT discreto | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHz | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto IGBT discreto | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHz | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie 6.5th generation | ||
Estándar de automoción No | ||
Discretos IGBT, Toshiba
IGBT discretos y módulos, Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW30V60DF, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW40V60DF, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW20V60F, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- IGBT, STGW20V60DF, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple