IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

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Opções de embalagem:
Código RS:
796-5046
Referência do fabricante:
GT15J341
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Corriente Máxima Continua del Colector

15 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±25V

Disipación de Potencia Máxima

30 W

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

100kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10 x 4.5 x 15mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Discretos IGBT, Toshiba



IGBT discretos y módulos, Toshiba


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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