IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
796-5055
Referência do fabricante:
GT20J341
Fabricante:
Toshiba
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Toshiba

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±25V

Disipación de Potencia Máxima

45 W

Tipo de Encapsulado

TO-220SIS

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

100kHz

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

10 x 4.5 x 15mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Discretos IGBT, Toshiba



IGBT discretos y módulos, Toshiba


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados