Semikron Danfoss Módulo IGBT, SKM400GB125D, Tipo N-Canal, 400 A, 1200 V, SEMITRANS, 7 pines Terminal roscado, 12 kHz 2

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

758,09 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 99 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)
Por unidade
1 - 1758,09 €
2 - 4720,18 €
5 +628,45 €

*preço indicativo

Código RS:
125-1115
Referência do fabricante:
SKM400GB125D
Fabricante:
Semikron Danfoss
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Semikron Danfoss

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

400A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Número de transistores

2

Encapsulado

SEMITRANS

Tipo de montaje

Terminal roscado

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

7

Velocidad de conmutación

12kHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

3.85V

Temperatura de funcionamiento máxima

-40°C

Longitud

106.4mm

Certificaciones y estándares

No

Serie

SKM400GB125D

Altura

30.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
SK

Módulos IGBT dobles


Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.

Encapsulado SEMITOP® compacto

Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz

Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa

Módulos IGBT, Semikron


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Links relacionados