Módulo transistor IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3

El IGBT5 de alta velocidad de Infineon está equipado con un diodo antiparalelo rápido y suave RAPID 1 en un encapsulado TO-247, se define como el IGBT "mejor de su clase". Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.

Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en VCEsat
Empaquetado con tecnología de diodo Si rápida
COES/EOSS bajo
Coeficiente de temperatura positivo suave VCEsa