Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Código RS:
- 259-1527
- Referência do fabricante:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,77 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 188 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,385 € | 10,77 € |
| 10 - 18 | 4,85 € | 9,70 € |
| 20 - 48 | 4,52 € | 9,04 € |
| 50 - 98 | 4,21 € | 8,42 € |
| 100 + | 3,935 € | 7,87 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 259-1527
- Referência do fabricante:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 80 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 305 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 80 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 305 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
La nueva tecnología TRENCHSTOPIGBT de Infineon redefine el IGBT "mejor de su clase" al proporcionar un rendimiento inigualable en términos de eficiencia para aplicaciones de conmutación rígida. La nueva familia es un gran avance en la innovación IGBT para adaptarse a las demandas de alta eficiencia del mercado del futuro. Tiene la mejor eficiencia de su clase, lo que resulta en una menor temperatura de unión y carcasa que conduce a una mayor fiabilidad del dispositivo. Un aumento de 50 V en la tensión del bus es posible sin comprometer la fiabilidad.
Tensión de ruptura de 650 V
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura
En comparación con la familia HighSpeed 3 de Infineon, la mejor de su clase
Factor de 2,5 Qg inferior
Reducción en factor 2 de las pérdidas de conmutación
Reducción de 200 mV en V CE(sat)
Bajo C OES/E OSS
Coeficiente de temperatura positivo suave V CE(sat)
Estabilidad de temperatura
Links relacionados
- Módulo transistor IGBT, IGW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65H5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65F5FKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3
- Módulo transistor IGBT, IKW75N65RH5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2
- Módulo transistor IGBT, IKW75N65SS5XKSA1, 75 A, 650 V, PG-TO247-3 2
- Módulo transistor IGBT, IKW40N65RH5XKSA1, 40 A, 650 V, PG-TO247-3 2
- Módulo transistor IGBT, IKW50N65SS5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2