Módulo transistor IGBT, IKW50N65RH5XKSA1, 50 A, 650 V, PG-TO247-3 2
- Código RS:
- 249-6941
- Referência do fabricante:
- IKW50N65RH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,55 € |
| 10 - 24 | 6,23 € |
| 25 - 49 | 5,95 € |
| 50 - 99 | 5,70 € |
| 100 + | 5,30 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 249-6941
- Referência do fabricante:
- IKW50N65RH5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 15V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 305 W | |
| Número de transistores | 2 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247-3 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 15V | ||
Disipación de Potencia Máxima 305 W | ||
Número de transistores 2 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247-3 | ||
El IGBT TRENCHSTOP5 H5 de Infineon se suministra con diodo de barrera Schottky CoolSiCTM de 6. generación de media potencia. Pérdidas de conmutación muy bajas gracias a la combinación de tecnología TRENCHSTOPTM5 y CoolSiCTM. Eficiencia de referencia en topologías de conmutación dura. Sustitución de enchufar y usar de dispositivos de silicio puro. La temperatura máxima de unión es de 175 °C
Fuentes de alimentación industriales
SMPS industriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía - Almacenamiento de energía
Carga de infraestructura - Cargador
SMPS industriales
Generación de energía
Inversor de cadena solar
Distribución de energía - Almacenamiento de energía
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