Infineon Módulo IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, 4.7 A, TO-263

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Código RS:
258-3757
Referência do fabricante:
IMBG120R350M1HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

4.7A

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Encapsulado

TO-263

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC47/20/22

Estándar de automoción

No

El MOSFET SiC CoolSiC1200 de 350 mΩ de V de Infineon en un encapsulado D2PAK-7L se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad en funcionamiento. Las bajas pérdidas de potencia de la tecnología CoolSiC, combinadas con la tecnología de interconexión XT en un nuevo encapsulado SMD optimizado de 1.200 V, permiten una eficiencia superior y un potencial de refrigeración pasiva en aplicaciones como unidades, cargadores y fuentes de alimentación industriales.

Pérdidas de conmutación muy bajas

Tiempo de resistencia a cortocircuitos, 3 μs

dV/dt completamente controlable

Mejora de la eficiencia

Permite una frecuencia más alta

Mayor densidad de potencia

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