IGBT, STGYA50M120DF3, 100 A, 1200 V, Max247 1
- Código RS:
- 248-4896
- Referência do fabricante:
- STGYA50M120DF3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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*preço indicativo
- Código RS:
- 248-4896
- Referência do fabricante:
- STGYA50M120DF3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 535 W | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | Max247 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 535 W | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado Max247 | ||
El producto STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento y la eficiencia del sistema de inversor donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCEsat positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima de 175 grados C
10 μs de tiempo de resistencia a cortocircuito
Baja VCEsat
Distribución de parámetros estrecha
Coeficiente de temperatura VCEsat positivo
Baja resistencia térmica
Diodo antiparalelo suave y de recuperación rápida
10 μs de tiempo de resistencia a cortocircuito
Baja VCEsat
Distribución de parámetros estrecha
Coeficiente de temperatura VCEsat positivo
Baja resistencia térmica
Diodo antiparalelo suave y de recuperación rápida
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