Infineon No IGBT, IKW50N120CH7XKSA1, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 273-2980
- Referência do fabricante:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2980
- Referência do fabricante:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 398W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Anchura | 16.13 mm | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM IGBT7 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 398W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Anchura 16.13 mm | ||
Longitud 21.1mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM IGBT7 | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IGBT7 La tecnología discreta H7 en encapsulado de 3 contactos TO-247 se ha desarrollado para satisfacer la demanda en aplicaciones que se centran en la descarbonización, como la energía solar fotovoltaica, fuentes de alimentación ininterrumpidas y cargadores de baterías.
Rendimiento optimizado en condiciones de aplicación
Robustez de humedad en entornos hostiles
Rendimiento EMI mejorado
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