Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 86 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 273-2980
- Referência do fabricante:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
6,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 91 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,28 € |
| 5 - 9 | 6,14 € |
| 10 - 24 | 5,70 € |
| 25 - 49 | 5,22 € |
| 50 + | 4,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2980
- Referência do fabricante:
- IKW50N120CH7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 86A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 398W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Serie | IKW | |
| Anchura | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Altura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 86A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 398W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 21.1mm | ||
Serie IKW | ||
Anchura 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Altura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
IGBT de la serie IKW de Infineon, tensión de emisor-puerta de 1200 V, corriente de colector continua de 86 A - IKW50N120CH7XKSA1
Este IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia diseñado para conmutación de alta corriente en sistemas electrónicos de potencia. Combina una alta tensión nominal de emisor de puerta con un manejo de corriente de colector continuo sustancial para soportar tareas de conmutación exigentes. El componente se suministra en un encapsulado TO-247 de orificio pasante y está diseñado para funcionar en un amplio rango de temperatura ambiente para entornos industriales.
Características y ventajas:
• La tensión de emisor de puerta de 1200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de colector continua de 86 A admite el funcionamiento con cargas pesadas
• La tensión de saturación de colector-emisor de 2 V reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 398 W permite un rendimiento térmico sostenido
• Funciona a temperaturas de –40 a 175 °C para ofrecer una amplia resistencia a la temperatura
• La corriente de colector continua de 86 A admite el funcionamiento con cargas pesadas
• La tensión de saturación de colector-emisor de 2 V reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia de 398 W permite un rendimiento térmico sostenido
• Funciona a temperaturas de –40 a 175 °C para ofrecer una amplia resistencia a la temperatura
Aplicaciones
• Apto para etapas de inversor de accionamiento de motor industrial
• Se utiliza para transistores de potencia de alta corriente en convertidores
• Ideal para módulos electrónicos de potencia que requieren montaje en orificio pasante
• Puede utilizarse en entornos de conmutación de alta temperatura
• Se utiliza con diseños que necesitan un semiconductor de potencia de 3 contactos
• Se utiliza para transistores de potencia de alta corriente en convertidores
• Ideal para módulos electrónicos de potencia que requieren montaje en orificio pasante
• Puede utilizarse en entornos de conmutación de alta temperatura
• Se utiliza con diseños que necesitan un semiconductor de potencia de 3 contactos
¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-247 y está diseñado para montaje en orificio pasante.
¿Qué homologaciones se refieren a los estándares de material y fabricación?
Cumple los requisitos RoHS y sigue los estándares JEDEC47/20/22.
¿Qué número de conectores físicos deben esperar los diseñadores de placas?
El dispositivo presenta tres contactos eléctricos para la conexión.
¿Cuáles son las dimensiones externas del dispositivo para la planificación mecánica?
El encapsulado mide 21,1 mm de longitud, 16,13 mm de anchura y 5,21 mm de altura.
Links relacionados
- Infineon IGBT, IKW50N120CH7XKSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 81 A, 1200 V, TO-247
- Infineon IGBT, AUIRG4PH50S, N-Canal, 81 A, 1200 V, TO-247
- Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKW25N120T2FKSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, IKW25N120H3FKSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Infineon IGBT, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante 1
- Infineon IGBT, IKW50N120CS7XKSA1, N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante 1