IGBT, STGW30NC120HD, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple

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Código RS:
168-7744
Referência do fabricante:
STGW30NC120HD
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±25V

Disipación de Potencia Máxima

220 W

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHZ

Configuración de transistor

Simple

Dimensiones

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

COO (País de Origem):
CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics



IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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