IGBT, STGYA50H120DF2, 50 A, 1200 V, Max247 long leads 1

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Código RS:
244-3195
Referência do fabricante:
STGYA50H120DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

50 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

535 W

Configuración

Serie

Tipo de Encapsulado

Max247 long leads

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode

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