STMicroelectronics IGBT, STGYA50H120DF2, 1200 V, 3 pines, 5 μs

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Código RS:
244-3195
Referência do fabricante:
STGYA50H120DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

535W

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

5μs

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

H

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El IGBT STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de tope de campo de puerta de zanja propia de Advanced. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representan un compromiso óptimo entre pérdidas de conmutación y conducción para maximizar la eficiencia de convertidores de frecuencia de conmutación alta. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento en paralelo más seguro.

Temperatura de conexión máxima TJ = 175 °C.

tiempo de resistencia a cortocircuito de 5 μs

VCE(sat) bajo = 2,1 V (típ.) A IC = 50 A.

Distribución de parámetros ajustada

Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo

Resistencia térmica baja

Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida

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