STMicroelectronics IGBT, N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns
- Código RS:
- 165-5304
- Referência do fabricante:
- STGD5NB120SZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 410,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 11 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,964 € | 2 410,00 € |
| 5000 + | 0,952 € | 2 380,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-5304
- Referência do fabricante:
- STGD5NB120SZT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 5A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 690ns | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Serie | H | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Energía nominal | 12.68mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 5A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 690ns | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
Anchura 6.4mm | ||
Serie H | ||
Longitud 6.2mm | ||
Energía nominal 12.68mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Links relacionados
- STMicroelectronics IGBT, STGD5NB120SZT4, Tipo N-Canal, 5 A, 1200 V, TO-252, 3 pines Superficie, 690 ns
- STMicroelectronics IGBT, STGB3NC120HDT4, Tipo N-Canal, 14 A, 1200 V, TO-263, 3 pines Superficie, 15 ns
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 48 ns
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 100 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 66 ns
- Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247, 4 pines Orificio pasante, 300 ns
- IXYS IGBT, Tipo N-Canal, 75 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 140 ns
- IXYS IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-268, 3 pines Orificio pasante, 160 ns
- IXYS IGBT, Tipo N-Canal, 50 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 160 ns