IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- Código RS:
- 241-0725
- Referência do fabricante:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 241-0725
- Referência do fabricante:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 200 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 15V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 268 W | |
| Número de transistores | 30 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4LD | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 15V | ||
Disipación de Potencia Máxima 268 W | ||
Número de transistores 30 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-4LD | ||
El IGBT de alta velocidad 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Esto ofrece el rendimiento óptimo al equilibrar pérdidas Vce(sat) y Eoff y sobreimpulso Vce de desconexión controlable. Muy adecuado para inversores solares, SAI, estaciones de carga EV, ESS y otras aplicaciones de conversión de potencia de alto rendimiento.
Coeficiente de temperatura positivo
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas
Funcionamiento en paralelo sencillo
Pérdidas de conmutación bajas
Links relacionados
- IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL75T65LQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30
- IGBT, FGHL75T65LQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT, FGHL40T65MQDT, 60 A, 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT, FGHL50T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT, FGHL75T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30