IGBT, IKWH20N65WR6XKSA1, N-Canal, 20 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 232-6733
- Referência do fabricante:
- IKWH20N65WR6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,296 € | 38,88 € |
| 60 - 120 | 1,231 € | 36,93 € |
| 150 - 270 | 1,179 € | 35,37 € |
| 300 - 570 | 1,128 € | 33,84 € |
| 600 + | 1,076 € | 32,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6733
- Referência do fabricante:
- IKWH20N65WR6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 70 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-3-HCC | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 20 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 70 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-3-HCC | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El IGBT TRENCHSTOP 5 WR6 de conducción inversa 20 A de Infineon se suministra en encapsulado TO-247-3-HCC de alta edad de fluencia y separación. Está específicamente optimizado para PFC para aplicaciones de inversor de soldadura y RAC / CAC. La excelente relación precio/rendimiento de WR6 IGBT permite el acceso a la tecnología de alto rendimiento también para clientes sensibles a costes. El WR6 ofrece el VCEsat más bajo y ESW que permite la frecuencia de conmutación de hasta 75 kHz. El IGBT WR6 también permite un diseño más fiable con mayores holguras y distancias de arrastre.
Diodo integrado monolíticamente
Pérdidas de conmutación más bajas
Mayor fiabilidad frente a la contaminación del paquete
Pérdidas de conmutación más bajas
Mayor fiabilidad frente a la contaminación del paquete
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