Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6633
- Referência do fabricante:
- IGW30N65L5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,10 € | 63,00 € |
| 60 - 120 | 1,995 € | 59,85 € |
| 150 - 270 | 1,911 € | 57,33 € |
| 300 - 570 | 1,827 € | 54,81 € |
| 600 + | 1,701 € | 51,03 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 215-6633
- Referência do fabricante:
- IGW30N65L5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 85A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 85A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor bipolar de Infineon de quinta generación con puerta aislada y tensión de saturación baja.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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