IGBT, IKW50N65EH5XKSA1, N-Canal, 80 A, 650 V, PG-TO247, 3-Pines 1

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Código RS:
226-6118
Referência do fabricante:
IKW50N65EH5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

30V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

275 W

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

PG-TO247

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El Infineon IKW50N65EH5 es un IGBT de conmutación dura de alta velocidad de 650 V que se utiliza junto con tecnología de diodo Schottky Rapid. Tiene un diseño de densidad de potencia superior y COES/EOSS bajo.

Factor 2,5: QG inferior
Reducción del factor 2 en pérdidas de conmutación
Reducción de 200mV en VCEsat

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