IGBT, FP50R12W2T7B11BOMA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, AG-EASY2B Emisor común
- Código RS:
- 222-4802
- Referência do fabricante:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4802
- Referência do fabricante:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Tipo de Encapsulado | AG-EASY2B | |
| Tipo de Canal | N | |
| Configuración de transistor | Emisor común | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Tipo de Encapsulado AG-EASY2B | ||
Tipo de Canal N | ||
Configuración de transistor Emisor común | ||
El módulo IGBT PIM (módulos integrados de potencia) de rectificador de entrada trifásica Infineon EasyPIM™ 2B de 1200 V Y 50 A con TRENCHSTOP™ IGBT7, diodo controlado por emisor 7, NTC y tecnología de contacto Pressfit.
Baja VCEsat
TRENCHSTOP™ IGBT7
Funcionamiento de sobrecarga hasta 175 °C.
Aislamiento de 2,5 kV ac 1min
Sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Diseño compacto
Tecnología de contacto Pressfit
TRENCHSTOP™ IGBT7
Funcionamiento de sobrecarga hasta 175 °C.
Aislamiento de 2,5 kV ac 1min
Sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica
Alta densidad de potencia
Diseño compacto
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