Infineon IGBT, FF1500R12IE5BPSA1, Tipo N-Canal, 1500 A, 1.2 kV, PRIME3, 10 pines Superficie 2
- Código RS:
- 218-4323
- Referência do fabricante:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-4323
- Referência do fabricante:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 1500A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1.2kV | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20mW | |
| Encapsulado | PRIME3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 10 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 86 mm | |
| Longitud | 247mm | |
| Altura | 38.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 1500A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1.2kV | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20mW | ||
Encapsulado PRIME3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 10 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 86 mm | ||
Longitud 247mm | ||
Altura 38.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP de canal N son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y conmutación suave como convertidores de alta potencia, sistemas SAI, controladores de motor y aplicaciones solares.
Se adhiere de cobre para ofrecer capacidades de transporte de alta corriente
Sinterización de chips para obtener las mayores capacidades de ciclo de alimentación
Pérdidas totales reducidas en hasta un 20%
Menos esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema más altas
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