Módulo IGBT, FF1500R12IE5BPSA1, N-Canal, 1,5 kA, 1.200 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble
- Código RS:
- 218-4322
- Referência do fabricante:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bandeja de 2 unidades)*
1 189,83 €
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 2 + | 594,915 € | 1 189,83 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-4322
- Referência do fabricante:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 1,5 kA | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 2 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 20 mW | |
| Tipo de Encapsulado | PRIME3+ | |
| Configuración | Doble | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 10 | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 1,5 kA | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 2 | ||
Disipación de Potencia Máxima 20 mW | ||
Tipo de Encapsulado PRIME3+ | ||
Configuración Doble | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 10 | ||
Configuración de transistor Doble | ||
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP de canal N son adecuados para aplicaciones de conmutación dura y conmutación suave como convertidores de alta potencia, sistemas SAI, controladores de motor y aplicaciones solares.
Se adhiere de cobre para ofrecer capacidades de transporte de alta corriente
Sinterización de chips para obtener las mayores capacidades de ciclo de alimentación
Pérdidas totales reducidas en hasta un 20%
Menos esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema más altas
Sinterización de chips para obtener las mayores capacidades de ciclo de alimentación
Pérdidas totales reducidas en hasta un 20%
Menos esfuerzo de refrigeración para la misma potencia de salida
Permite condiciones de sobrecarga del sistema más altas
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